石墨烯场效应晶体管是一种基于石墨烯独特电学特性构建的半导体器件。 通常由石墨烯沟道、源极、漏极和栅极组成。石墨烯沟道是电流传输的主要路径，源极和漏极用于注入和收集载流子，栅极则通过施加电压来调控沟道中的载流子浓度。 当在栅极上施加电压时，会在石墨烯沟道中诱导出电荷，从而改变沟道的电导。通过控制栅极电压，可以有效地调节源极和漏极之间的电流，实现晶体管的开关功能。

技术参数  

芯片尺寸：10mm x10mm

芯片厚度 ：525μm

每个芯片的GFET数量：30

栅氧化层厚度（EOT）：20nm

栅极氧化物材料：Al₂O₃

Dirac点：＜5 V

良率  ：＞75%

石墨烯场效应迁移率：＞600cm²/V.S

产品特点

 高灵敏度：由于石墨烯沟道的厚度很薄，所有电流都在其表面流动，因此GFET具有非常高的灵敏度。 

 双极性特征：GFET可以使用电子和空穴两者形成电流，具有双极性特征。

 高频性能优越：GFET的开关频率可以接近太赫兹范围，比硅基FET快几倍。

 低功耗：石墨烯优异的导电性和导热性使其工作时的电能损耗更低、散热性能更好。

应用

 电子器件：用于制造高频、高速、低功耗的电子器件，如放大器、开关和数字电路等。 

 传感器：基于石墨烯的FET传感器适用于各种传感应用，包括气体传感、生物传感和环境传感等。

 能源领域：在能源存储和转换方面也有潜在的应用，如锂离子电池和超级电容器的电极材料等。

其他信息

常温干燥避光密封保存。最长保存期限6月。

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