碳纳米管垂直阵列由于其独特的结构和优异的性能（如高导热性、高机械强度等），在热管理、电化学、电子器件散热等领域具有广泛的应用前景。然而，为了充分发挥其性能，需要将其从生长基底转移到目标基底上，以满足不同应用场景的需求。转移碳纳米管垂直阵列是指将已经生长在某一基底上的碳纳米管垂直阵列，通过特定的方法和步骤，完整地转移到另一个目标基底上的过程。这种转移过程在保持碳纳米管垂直阵列的结构和性能的同时，实现了其在不同基底上的应用和集成。目前，已经发展了多种将碳纳米管垂直阵列从生长基底转移到目标基底的方法，如湿化学刻蚀发、介质辅助转移法、气相弱刻蚀法、干式接触转移法等。

技术参数

直径：3-10 nm

纯度：98%

高度：100-1000 μm

密度≤0.3 g/cm3

比表面积：～20 m2/g

电导率：10³ S/m

产品特点

1)    保持阵列完整性：碳纳米管垂直阵列可以保持其原有的有序结构和形貌，从而保留其优异的性能，如高导热性、高机械强度等。

2)    提升应用灵活性：将碳纳米管垂直阵列转移到不同的目标基底上，可以扩展其应用范围，如电子器件散热、热界面材料、电化学传感器等。

应用

1）电极材料：碳纳米管阵列因其良好的导电性和高比表面积，常被用作电极材料，特别是在锂离子电池和超级电容器中。这些应用充分利用了碳纳米管阵列的储能性能，提高了电池和电容器的性能。

2）电子器件：阵列碳纳米管由于其低阈值电压、大发射电流和良好稳定性，可作为各种电子枪的电子源，如冷阴极X射线管和场发射扫描显微镜的电子源。

3）热界面材料：碳纳米管阵列在轴向方向具有良好的导热性，而在垂直于轴向的方向导热性差。这种特性使其成为一种理想的热界面材料，可用于电子元器件的散热，提高设备的稳定性和寿命。

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